北廣工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀

北廣工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀高壓電橋采用典型的西林電橋線路。C4橋臂在基本量程時(shí)，與R4橋臂并聯(lián)，測量數(shù)值為正損耗因數(shù)。結(jié)構(gòu)采用了雙層屏蔽。并通過輔橋的輔助平衡，消除寄生參數(shù)對電橋平衡的影響。輔橋由電位自動電位跟蹤器與內(nèi)層屏蔽（S）組成。自動跟蹤器由電子元器件組成。它在橋頂B處取一輸入電壓，通過放大后，在內(nèi)屏蔽（S）產(chǎn)生一個(gè)與B電位相等的電壓。當(dāng)電橋在平衡時(shí)，A,B,S三點(diǎn)電位必然相等，從而達(dá)到自動跟蹤的目的。本電橋在平衡過程中，輔橋采用自動電位跟蹤，在主橋平衡過程的同時(shí)，輔橋也自動跟蹤始終處于平衡的狀態(tài)，用戶只要對主橋平衡進(jìn)行操作就能得到可靠的所需數(shù)據(jù)。同時(shí)也有效的抑制了電壓波動對平衡所帶來的影響。在指零部分，采用了指針式電表指示，視覺直觀，分辨清楚，克服了以往振動式檢流計(jì)的缺點(diǎn)。

北廣工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測試儀

計(jì)算公式

Cx=R4× Cn / R3    R4[Ω]  R3[Ω]  Cn[pF]  Cx[pF]

tgδ=ω·R4·C4     R4[Ω]  C4[F]

當(dāng)R4=10K/π

tgδ=C4      

當(dāng)R4=1K/π

tgδ=0.1C4   

我們采取相對固定R4電阻，分別調(diào)節(jié)R3和C4使橋跟平衡，從而測得試品的電容值Cx和介質(zhì)損耗tg。本電橋?yàn)榱酥弊x出損耗值，取電阻R4的阻值為角頻率（f=50Hz）若干倍。

公式說明

.頻率對介質(zhì)損耗正公式：

本電橋額定的工作頻率f=50Hz，在實(shí)際工作頻率偏離額定頻率時(shí)可用修正式進(jìn)行修正：

tg=f^’·tgδ / f

式中：f    為額定工作頻率（f=50Hz）

f’   為實(shí)際工作頻率

tgδ  電橋測得損耗值

tgδ  為被測試品介質(zhì)損耗角正切的實(shí)際值

安全操作規(guī)程

1. 本儀器必須有專人負(fù)責(zé)保管，使用，非專職操作者應(yīng)在使用前了解和熟悉本說明書，以免造成不必要的損失和事故。
2. 每次使用前應(yīng)仔細(xì)檢查接地線是否完好，確保以后方可通電使用。
3. 接通電源前應(yīng)將靈敏度開關(guān)調(diào)到低位置。
4. 測量試品前應(yīng)先對試品進(jìn)行高壓試驗(yàn)，證明在電橋工作電壓下無噪聲，電離等現(xiàn)象出現(xiàn)，然后才能進(jìn)行測試（若試品己做過高壓試驗(yàn)，該項(xiàng)可不必每次測量都做）。
5. 對試品施加高壓時(shí)緩慢升高，不可以加突變電壓。
6. 測試時(shí)操作人員必須集中思想，工作前做好一切準(zhǔn)備工作，測試地點(diǎn)周圍應(yīng)有明顯的標(biāo)記或金屬屏蔽圍成高壓危險(xiǎn)區(qū)，以防止非操作人員闖入。
7. 在測量過程中，如有放電管發(fā)光時(shí)，則必須及時(shí)切斷電源，仔細(xì)檢查接線及試品都無擊穿，待檢查排除故障后，再進(jìn)行高壓測量工作。

8. 電橋的特點(diǎn)；

    l橋體內(nèi)附電位跟蹤器及指零儀，外圍接線及少。

   l電橋采用接觸電阻小，機(jī)械壽命長的十進(jìn)開關(guān)，保證測量的穩(wěn)定性

   l儀器具有雙屏蔽，能有效防止外部電磁場的干擾。

   l儀器內(nèi)部電阻及電容元件經(jīng)特殊老化處理，使儀器技術(shù)性能穩(wěn)定可靠。

   l內(nèi)附高壓電源精度3%

   l內(nèi)附標(biāo)準(zhǔn)電容損耗﹤0.00005，名義值100pF

9. 技術(shù)指標(biāo)測量范圍及誤差

10. 本電橋的環(huán)境溫度為20±5℃，相對濕度為30%-80%條件下，應(yīng)滿足下列表中的技術(shù)指示要求。

    在Cn=100 pF      R4=3183.2（Ω）時(shí)

    測量項(xiàng)目	測量范圍	測量誤差
    電容量Cx	40pF—20000pF	±0.5%  Cx±2pF
    介損損耗tgδ	0-1	±1.5%  tgδx±0.0001

    在Cn=100 pF    R4=318.3（Ω）時(shí)

    測量項(xiàng)目	測量范圍	測量誤差
    電容量Cx	4pF—2000pF	±0.5%  Cx±3pF
    介損損耗tgδ	0-0.1	±1.5%  tgδx±0.0001